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IRFR/U9120N
800
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = -4.0 A
V DS =-80V
V DS =-50V
V DS =-20V
600
Ciss
12
400
200
Coss
Crss
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
5
10
SEE FIGURE 13
15       20
25
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0         2.6
0.1
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
1000
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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